Эффективность использования системы подтверждена на образцах, в которых в использовались проволочные соединения из следующих материалов— Cu, PdCu, Ag, Au, а также на интегральных схемах изготовленных по таким технологиям как 3D, SiP, WLCSP, BOAC; MIP не вызывает повреждений, способствуя более точному анализу отказов и контролю качества.
Отличительные особенности:
- Отсутствие процессов, вызывающих повреждения внутренней структуры
- Сохранение особенностей поверхности
- Сохранение оригинальных загрязнений и мест дефектов
- Только O2: не разрушает пассивацию и кристалл
- Снижение на 70% времени процесса по сравнению с обычной плазмой
- Полностью автоматический процесс
- Атмосферная плазма позволяет снизить затраты на обслуживание и ремонт
Области применения:
Применение MIP декапсулятора
1) в анализе отказов:
- Изделий с серебряными (Ag) проволочными соединениями
- Изделий с проволочными соединениями из Cu, PdCu, а также Au после термического стресса
- Изделий, изготовленных по технологии BOAC (Bonding Over Active Circuit), Кристалл на плате (Chip-on-Board), SiP (система в корпусе)
- 3D корпусов (многоярусные кристаллы)
- Корпусов на базе подложки кристалла (WLCSP)
- Многокристальных систем типа In-FO (Integrated Fan-Out)
- Изделий с кристаллами из GaAs, GaN
- Корпусов размером 1x1 мм
- Корпусов с герметизацией компаундом (Tg) с высокой температурой стеклования, FOW (Flow-on-Wire), герметизацией неполным заполнением компаундом и герметизацией прозрачным компаундом
2) для определения типа отказа:
- Электрические стрессовые напряжения (EOS, electrostatic overstress)
- Загрязнение
- Локальная декапсуляция
