При этом ультразвуковой контроль может осуществляться, как на стадии входного контроля компонентов, так и после установки компонентов на печатные платы, в том числе и после покрытия их лаком или другими конформными покрытиями (после климатических и вибрационных испытаний).
Кроме того, система может применяться для исследования микроструктуры материалов используемых в производстве радиоэлектронных изделий. Тестовая система SAM-DENEB позволяет получать 3D-модели изделий. Ультразвук не оказывает отрицательного воздействия на работоспособность проверяемых с его помощью электронных изделий, а эксплуатация акустического микроскопа абсолютно безопасна для работающего на ней персонала и окружающей среды.
Ультразвуковой системой обнаруживаются такие дефекты материалов как: пустоты, расслоения и отслоения, микротрещины и разрывы, геометрические отклонения параметров кристалла и другие скрытые внутренние дефекты.
Область применения
Ультразвуковой контроль используется в тех случаях, когда к выпускаемой электронной продукции предъявляются повышенные требования по надежности при самых экстремальных по температуре, давлению и вибрациям условиях эксплуатации (продукция аэрокосмического назначения, автомобильная электроника, электронное оборудование для атомной промышленности).
В микроскоп SAM-DENEB включен метод сканирования “Tray-scan”, который позволяет производить тестирование компонентов находящихся в поддоне, что дает возможность использовать ультразвуковой контроль в условиях серийного производства.
Ультразвуковое тестирование является современной и передовой технологией, направленной на повышение качества и надежности контролируемых с ее помощью электронных изделий.
Ниже представлены основные области применения ультразвукового оборудования:
- Контроль структуры керамических конденсаторов
- Контроль структуры пластмассовых корпусов
- Контроль дефектов присоединения кристалла (Die Attach Defects)
- Контроль микросхем в корпусах Flip Chip
- Контроль микросхем в корпусах CSP
- Контроль микросхем в корпусах BGA и MBGA
- Контроль обработанных полупроводниковых пластин (Bonded Wafers)
- Контроль микротрещин на подложках и кристаллах
- Контроль расслоений на подложках и многослойных печатных платах (МПП)
- Контроль пустот в материалах и паяных соединениях (Voids)
- Контроль качества паяных соединений
- Контроль всевозможных скрытых дефектов в материалах
Технические характеристики
| Сканируемая область: | 350 х 350 х 70 мм |
| Размер резервуара для сканирования: | 500 х 520 х 100 мм |
| Разрешение: | 0,5 мкм |
| Максимальная скорость сканирования: | 1000 мм/с |
| Режимы сканирование: | A, B, C-Scan, FFT-Scan, TOF 3D и Visual 3D display |
| Послойное сканирование | До 20 слоев |
| Аналогово-цифровой преобразователь: | Частота дискретизации в реальном времени 500 МГц , полоса пропускания 1 ГГц |
| Высокочастотные преобразователи (излучатель - приемник): | 15, 25, 35, 75, 110, 200 MHZ |
| Габаритные размеры (ШхГхВ): | 880 х 880 х 1330 мм |
| Вес: | 250 кг |
| Эл. Питание: | 230В, 50Гц, 10А |
